À medida que a inteligência artificial (IA) progride, os pesquisadores da PostC (Pohong Science and Technology) identificaram um progresso que pode tornar as tecnologias de IA mais rápidas e eficientes.
Professor Siang Kim e Dr. do IBM TJ Watson Research Center em colaboração com o Dr. Oki Gunwan. Este estudo inovador foi publicado na revista, ComunicaçãoO
À medida que as tecnologias de IA avançam, a demanda por processamento de dados aumentou significativamente. Os sistemas de computação atuais, no entanto, possuem armazenamento de dados separado (‘memória’) do processamento de dados (‘processador’) do armazenamento de dados separado (‘memória’), causando tempo e energia significativos para transferir dados entre essas unidades. Para resolver esse problema, os pesquisadores criaram o conceito de ‘computação na memória’.
A ‘computação na memória’ permite cálculos diretos na memória, elimina o movimento de dados e alcança atividades rápidas e qualificadas. O ECRAM é uma tecnologia importante para implementar esse conceito. Os dispositivos ECRAM consistem em armazenamento de dados do tipo analógico para salvar e processar dados usando atividade iônica. No entanto, suas estruturas complexas e materiais de óxido de alto resistente são difíceis de entender, impedindo significativamente a comercialização.
Para resolvê-lo, a equipe de pesquisa criou um dispositivo ECRAM estruturado multi-terminal usando óxido de Tongsten e aplicou a ‘linha de depole paralela ao sistema’, que permite a temperatura da temperatura ultra-LO (-223 graus centígrados) (300K) à temperatura da casa (300K). Eles observaram que, pela primeira vez, as vagas de oxigênio dentro do ecram formaram os estados doadores rasos (~ 0,1 eV), formaram efetivamente ‘atalhos’ através dos quais os elétrons foram removidos livremente. Em vez de aumentar a quantidade eletrônica, o ECRAM cria inerentemente um ambiente para facilitar o transporte de elétrons simples. Sério, esse processo permanece estável, mesmo em temperaturas muito baixas, exibe a visão e a durabilidade do dispositivo Ecram.
O professor Siang Kim enfatizou a PostTech: “Esta pesquisa é significativa porque limpou o processo de troca de ECRAM em diferentes temperaturas. Essa tecnologia pode expandir a duração da bateria em dispositivos como desempenho de IA e smartphone, tablet e laptop”.
Este trabalho foi apoiado por K-Chips (Coreia Associate e possível pesquisa semicondutores para iniciativas de tecnologia superior) pela Coréia do Comércio, Industrial e Energia (MTI).
Observação:
1 EKM (memória de acesso aleatório de produtos químicos innônicos): um dispositivo de memória química do inversor cuja condutividade do canal varia de acordo com a concentração de íons dentro do canal. Esse comportamento permite a expressão do estado de memória analógica. O dispositivo possui uma estrutura de três terminais contendo uma fonte, drenagem e portão. Ao aplicar a tensão ao portão, o movimento dos íons é controlado e a condutividade do canal é lida através de fontes e drenos.
2 linha de depósito paralelo é o sistema, sistema PDL: um dos dois ímãs cilíndricos depoll é um sistema de medição do salão. Quando um ímã é girado, o outro gira automaticamente, permite a geração de um campo magnético poderoso e superposto. Essa configuração permite maior sensibilidade ao monitoramento do comportamento eletrônico interno.
